溫馨提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。
本發(fā)明公開了一種FS?IGBT器件，包括：漂移區(qū)，形成于漂移區(qū)表面的阱區(qū)，柵極結(jié)構(gòu)，形成于阱區(qū)的表面且和柵極結(jié)構(gòu)自對(duì)準(zhǔn)的發(fā)射區(qū)。形成于半導(dǎo)體襯底的背面的第二半導(dǎo)體材料層，第二半導(dǎo)體材料層的禁帶寬度低于半導(dǎo)體襯底的禁帶寬度。由第一導(dǎo)電類型背面...該專利屬于上海鼎陽通半導(dǎo)體科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海鼎陽通半導(dǎo)體科技有限公司授權(quán)不得商用。