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本發明涉及一種半導體制造工藝中提高薄膜材料的臺階覆蓋率的方法，其包括：在具有一定深寬比的(非平面)結構上沉積薄膜材料；獲取所述薄膜材料的臺階覆蓋率數據；針對所述薄膜材料選擇原子層刻蝕(ALE)化學反應；調節所述ALE工藝的參數使其臺階覆蓋率...
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