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本申請屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種解理方法，采用刻蝕、腐蝕等非機械手段，避免了機械應(yīng)力對薄片晶圓的作用，從而極大地減少了薄片晶圓端面出現(xiàn)裂紋的可能性。具體地，解理方法按以下步驟實施：于薄片晶圓背面生長氧化硅，以形成掩膜層；于掩膜層背離薄片...該專利屬于武漢敏芯半導體股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過武漢敏芯半導體股份有限公司授權(quán)不得商用。