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本申請提出了一種光電二極管芯片的制備方法及設備和光電二極管芯片，該方法包括：對當前的外延片進行刻蝕處理，形成溝槽窗口，溝槽窗口所在的第二區域位于第一區域的外部，環繞第一區域，溝槽窗口貫穿P歐姆接觸層、擴散窗口層、本征吸收層和N型材料接觸層，...該專利屬于武漢敏芯半導體股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過武漢敏芯半導體股份有限公司授權不得商用。
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