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本發明公開一種基于PMOS管的IGBT器件及其制備方法，IGBT器件包括P+注入層、N型襯底、第一絕緣層、第一導電層、第二絕緣層以及第二導電層，N型襯底上形成有N?漂移區，N?漂移區上形成有P型阱和N型阱，P型阱上和N型阱上各自形成有兩個N...該專利屬于上海功成半導體科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海功成半導體科技有限公司授權不得商用。
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本發明公開一種基于PMOS管的IGBT器件及其制備方法，IGBT器件包括P+注入層、N型襯底、第一絕緣層、第一導電層、第二絕緣層以及第二導電層，N型襯底上形成有N?漂移區，N?漂移區上形成有P型阱和N型阱，P型阱上和N型阱上各自形成有兩個N...