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本發明公開了一種碳化硅功率二極管器件結構及其制備方法，其包括背面金屬層、碳化硅襯底、碳化硅外延、多次離子注入形成的P+摻雜區、在碳化硅外延上熱氧化生長的場氧層、肖特基接觸金屬、第一正面金屬層、第一鈍化層以及第二鈍化層；所述第一正面金屬層的表...
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