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本發明涉及一種用于MOSFET的外延結構及其制備方法和用途，具體涉及功率器件領域，所述外延結構包括：依次設置于襯底上的緩沖層、第一漂移層、第二漂移層、AlN層、第一NO摻雜3C?SiC層、O摻雜3C?SiC層和第二NO摻雜3C?SiC層。本...該專利屬于晶豐芯馳（上海）半導體科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過晶豐芯馳（上海）半導體科技有限公司授權不得商用。
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本發明涉及一種用于MOSFET的外延結構及其制備方法和用途，具體涉及功率器件領域，所述外延結構包括：依次設置于襯底上的緩沖層、第一漂移層、第二漂移層、AlN層、第一NO摻雜3C?SiC層、O摻雜3C?SiC層和第二NO摻雜3C?SiC層。本...