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本公開的實施例涉及半導體器件及其隔離結構制造方法。半導體器件包括：襯底；位于所述襯底上的外延層；位于所述襯底和所述外延層之間的埋層；以及隔離結構，位于所述半導體器件的周邊區中且圍繞晶體管的有源區，其中，所述隔離結構包括：第一深溝槽隔離，從所...該專利屬于思瑞浦微電子科技（上海）有限責任公司所有，僅供學習研究參考，未經過思瑞浦微電子科技（上海）有限責任公司授權不得商用。
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本公開的實施例涉及半導體器件及其隔離結構制造方法。半導體器件包括：襯底；位于所述襯底上的外延層；位于所述襯底和所述外延層之間的埋層；以及隔離結構，位于所述半導體器件的周邊區中且圍繞晶體管的有源區，其中，所述隔離結構包括：第一深溝槽隔離，從所...