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一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底；晶體管結(jié)構(gòu)，位于所述襯底表面，所述晶體管結(jié)構(gòu)包括溝道區(qū)、位于所述溝道區(qū)的正上方的柵極介質(zhì)層和柵極導(dǎo)電層以及位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)，所述溝道區(qū)具有第一頂表...該專利屬于長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司授權(quán)不得商用。