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本發明提出了一種多通道大位延時組件，基于低E面共面波導?帶狀線傳輸結構，縮小延時線面積的同時抑制高次模的出現；通過增加吸收屏蔽結構，改善高增益放大器芯片電磁環境；采用連續地平面過渡方式優化芯片到基板的互聯。利用高集成多通道控制芯片輸出四路獨...該專利屬于中國電子科技集團公司第十四研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國電子科技集團公司第十四研究所授權不得商用。
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本發明提出了一種多通道大位延時組件，基于低E面共面波導?帶狀線傳輸結構，縮小延時線面積的同時抑制高次模的出現；通過增加吸收屏蔽結構，改善高增益放大器芯片電磁環境；采用連續地平面過渡方式優化芯片到基板的互聯。利用高集成多通道控制芯片輸出四路獨...