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本發(fā)明公開了一種柵極金屬填充方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體制備領(lǐng)域，包括：在柵極金屬填充區(qū)域填充有偽多晶硅的器件中，刻蝕預(yù)設(shè)高度的偽多晶硅和預(yù)設(shè)高度的側(cè)墻至平齊，作為待成型柵極金屬的器件；在待成型柵極金屬的器件中開設(shè)有柵極金屬填充區(qū)域的表面制備待刻蝕膜...該專利屬于上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司授權(quán)不得商用。