溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

本發明提供一種Ⅲ?Ⅴ族單晶的切割損傷深度測試方法，其特征在于包括以下步驟：S1，晶片表面清潔，S2，晶片初始厚度測量，S3，貼保護膜，S4，分步腐蝕得到階梯臺面，S5，擇優腐蝕液使切割損傷顯現，S6，對晶片臺階表面進行觀察和測試，S7，獲得...
該專利屬于昆明物理研究所所有，僅供學習研究參考，未經過昆明物理研究所授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。