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本發明公開了一種解決功率器件多晶硅柵極殘留缺陷的工藝方法，在晶圓上功率器件制作溝槽型柵極的多晶硅淀積完成之后，先采用多晶硅研磨工藝對所述的多晶硅層進行全局研磨，研磨至有源區表面的所述的多晶硅全部去除；再用微波反應干法刻蝕工藝對柵極溝槽內的多...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種解決功率器件多晶硅柵極殘留缺陷的工藝方法，在晶圓上功率器件制作溝槽型柵極的多晶硅淀積完成之后，先采用多晶硅研磨工藝對所述的多晶硅層進行全局研磨，研磨至有源區表面的所述的多晶硅全部去除；再用微波反應干法刻蝕工藝對柵極溝槽內的多...