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本發明實施例提供一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底上具有柵極結構；在所述柵極結構的側壁上形成柵極側墻，形成所述柵極側墻的步驟包括：在所述柵極結構的側壁上形成第一側墻；在含氧環境氣氛下，采用第一反應源氣體，在所述第一...
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