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提出了一種具有改善的膜均勻性的晶片處理設備。該設備包括封閉和限定反應室的射頻(RF)外殼；放置在反應室內的噴淋頭，其配置為產生用于在反應室中處理晶片的等離子體；射頻(RF)電源，其配置為產生RF并將所產生的RF供應至噴淋頭；并聯和/或串聯連...該專利屬于ASMIP私人控股有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過ASMIP私人控股有限公司授權不得商用。
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