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方法包括：將底部管芯接合至載體；以及將頂部管芯接合至底部管芯。頂部管芯包括半導體襯底，并且半導體襯底具有第一熱導率。方法還包括：將頂部管芯密封在間隙填充區域中；將支撐襯底接合至頂部管芯和間隙填充區域以形成重構晶圓，其中，支撐襯底具有高于第一...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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