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本申請?zhí)峁┝艘环N存儲裝置及其制造方法、半導(dǎo)體裝置，存儲裝置包括：襯底，包括絕緣表面；存儲單元陣列，包括設(shè)于絕緣表面上的多個(gè)存儲單元，多個(gè)存儲單元沿第一水平方向、第二水平方向和垂直方向重復(fù)地布置，第一水平方向與第二水平方向相交；每個(gè)存儲單元包...該專利屬于深圳市昇維旭技術(shù)有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過深圳市昇維旭技術(shù)有限公司授權(quán)不得商用。