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本發明提供一種制備镥氫化物薄膜的方法，其包括如下步驟：(1)將镥金屬靶材置于薄膜沉積腔室內；(2)清洗基片，然后將清洗后的基片安裝在基片臺上；(3)然后，加熱所述基片臺進而加熱所述基片；(4)向所述薄膜沉積腔室內通入氫氣并將所述薄膜沉積腔室...
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