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本發明提供一種改善光刻對準標記變異的方法，在前層圖形上形成光刻對準標記；利用0.05?0.2um/min的生長速率在前層圖形上形成第一厚度的第一外延層；利用1.5?2.5um/min的生長速率在第一外延層上形成第二厚度的第二外延層。本發明采...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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