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本申請(qǐng)公開(kāi)了一種超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長(zhǎng)方法，涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，該方法在MOCVD設(shè)備的反應(yīng)室處于第一溫度區(qū)間的第一溫度和處于第一壓力區(qū)間的第一壓力時(shí)，向所述反應(yīng)室輸入氧前驅(qū)體，對(duì)置于所述反應(yīng)室的襯底材料進(jìn)行預(yù)定時(shí)長(zhǎng)的表面預(yù)處...該專利屬于蘇州鎵耀半導(dǎo)體科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)蘇州鎵耀半導(dǎo)體科技有限公司授權(quán)不得商用。