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本申請公開了一種低內應力的SiC晶體和SiC襯底，屬于SiC材料制備技術領域。所述SiC晶體制備得到若干個SiC襯底，基于拉普拉斯金字塔原理對高通信號和低通信號進行區分，在低通信號下，任意SiC襯底的光程差<6nm，光程差的最大值&l...該專利屬于山東天岳先進科技股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過山東天岳先進科技股份有限公司授權不得商用。
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本申請公開了一種低內應力的SiC晶體和SiC襯底，屬于SiC材料制備技術領域。所述SiC晶體制備得到若干個SiC襯底，基于拉普拉斯金字塔原理對高通信號和低通信號進行區分，在低通信號下，任意SiC襯底的光程差<6nm，光程差的最大值&l...