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本發(fā)明提供一種氧化物單晶厚膜的制備方法，包括：將金屬源前驅(qū)體轉(zhuǎn)移至真空生長設(shè)備金屬源區(qū)的坩堝內(nèi)，同時將襯底放置于真空生長設(shè)備生長區(qū)的襯底托上；對真空生長設(shè)備進行抽真空處理，并將金屬源區(qū)和生長區(qū)均由室溫開始加熱升溫；對真空生長設(shè)備內(nèi)充入惰性氣...該專利屬于湖北大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過湖北大學授權(quán)不得商用。