溫馨提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。
本發(fā)明公開了一種進(jìn)氣系統(tǒng)，半導(dǎo)體器件的工藝設(shè)備和工藝方法。進(jìn)氣系統(tǒng)包括：第一混氣部，向反應(yīng)腔下方的晶圓中心通入沉積氣體或保護(hù)氣體；第二混氣部，圍繞第一混氣部，向晶圓邊緣周向通入保護(hù)氣體或刻蝕氣體；以及控制器，被配置為：控制第一混氣部通入沉積...該專利屬于拓荊科技（上海）有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過拓荊科技（上海）有限公司授權(quán)不得商用。