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本發(fā)明公開了一種硅片托舉環(huán)、薄膜沉積設(shè)備及薄膜沉積方法。硅片托舉環(huán)可裝設(shè)于薄膜沉積腔室內(nèi)，薄膜沉積腔室內(nèi)設(shè)有用于承載硅片進(jìn)行薄膜沉積的加熱臺，硅片托舉環(huán)具有可伸縮內(nèi)徑；在薄膜沉積期間，硅片托舉環(huán)被配置為：可伸縮內(nèi)徑擴(kuò)張至大于硅片直徑和加熱臺...該專利屬于盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司授權(quán)不得商用。