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本發明實施例涉及半導體技術領域,提供一種半導體結構及其形成方法,半導體結構的形成方包括:提供基底;在所述基底上形成初始光刻膠層,圖形化所述初始光刻膠層以形成光刻膠層,所述光刻膠層內具有貫穿所述光刻膠層厚度的多個定位開口;形成初始目標層,所述...該專利屬于瑞聲科技(新加坡)有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過瑞聲科技(新加坡)有限公司授權不得商用。
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本發明實施例涉及半導體技術領域,提供一種半導體結構及其形成方法,半導體結構的形成方包括:提供基底;在所述基底上形成初始光刻膠層,圖形化所述初始光刻膠層以形成光刻膠層,所述光刻膠層內具有貫穿所述光刻膠層厚度的多個定位開口;形成初始目標層,所述...