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本公開實(shí)施例涉及單晶制造技術(shù)領(lǐng)域，提供一種除雜方法、單晶爐，除雜方法包括：檢測(cè)籽晶在單晶爐中的實(shí)時(shí)位置，若實(shí)時(shí)位置為預(yù)設(shè)位置，控制籽晶帶有第一電壓且堝幫帶有第二電壓，第一電壓大于第二電壓，使硅料、坩堝和堝幫形成第一電場(chǎng)，并促使單晶爐的拉晶階...該專利屬于晶科能源股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)晶科能源股份有限公司授權(quán)不得商用。