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本發明提供了一種半導體結構及其形成方法。該半導體結構包括一個互連結構、一層鈍化層和一個導電凸塊結構。該互連結構包括位于互連結構頂部的導電墊。該鈍化層設置在互連結構上。該導電凸塊結構設置在并嵌入到鈍化層和導電墊中。在第一方向上，鈍化層與導電墊...
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