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本申請公開了一種RC?IGBT結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件，RC?IGBT結(jié)構(gòu)包括：基體、第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)、第二導(dǎo)電類型的集電區(qū)、第一溝槽柵、第二導(dǎo)電類型的基區(qū)；第一導(dǎo)電類型的第一發(fā)射區(qū)；第二導(dǎo)電類型的第二發(fā)射區(qū)；第二溝槽柵，所述第二溝槽柵自所述第...該專利屬于海信家電集團股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過海信家電集團股份有限公司授權(quán)不得商用。