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本發(fā)明公開了一種含驅(qū)動(dòng)的微型發(fā)光二極管(Micro?LED)結(jié)構(gòu)及其制備方法，其結(jié)構(gòu)包括向上晶面為非極性面的氮化鎵(GaN)層、含有微孔的掩膜層、GaN立體三角島、以及在三角島一側(cè)斜面上設(shè)置的高電子遷移率晶體管(HEMT)結(jié)構(gòu)、另一側(cè)斜面上...該專利屬于南京信息工程大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過南京信息工程大學(xué)授權(quán)不得商用。