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本公開涉及晶體管和半導體裝置。該晶體管包括：襯底，在襯底中設置有具有第一摻雜類型的有源區；設置于有源區上的柵極結構；設置于有源區中的位于柵極結構的相對側的具有第二摻雜類型的源極區和漏極區，其中，源極區與漏極區在與襯底的厚度方向平行的第一方向...
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