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本發明涉及一種圖像傳感器結構的制備方法及圖像傳感器結構，涉及半導體技術領域。該圖像傳感器結構的制備方法中，將光電二極管與共射極三極管同時制備，并集成在同一個襯底上，實現了圖像傳感器結構的小型化。將光電二極管的第一摻雜區與共射極三極管的基極區...該專利屬于湖北江城芯片中試服務有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過湖北江城芯片中試服務有限公司授權不得商用。
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