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本發明涉及一種與多晶硅發射極工藝兼容的低溫度系數多晶硅電阻制備方法，1、外延片（4）上向外延基區注入硼離子，淀積多晶硅薄膜；2、多晶硅薄膜上淀積介質層（9），向多晶硅薄膜注入砷雜質形成多晶硅發射區（11）；3、注入磷雜質和硼雜質形成多晶硅電...
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