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本發明提供一種改善臺面結構削角的方法，提供襯底，在襯底上形成ONO層，在ONO層及其下方的襯底上形成深溝槽；利用熱氧化的方法在深溝槽表面形成第三氧化層，利用回刻蝕的方法控制氮化層相對于臺面結構的突出量為第一長度；依次在深溝槽中形成第四氧化層...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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