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本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N磁體、電子設(shè)備和充電設(shè)備，磁體包括第一子磁體和第二子磁體，第一子磁體內(nèi)部磁力線的方向和第二子磁體內(nèi)部磁力線的方向都與磁體所在平面傾斜，更多的磁力線可以聚集在磁體一側(cè)的空間磁體四周的磁力線稀疏。本申請(qǐng)通過(guò)改變磁體的磁力線的分布...該專利屬于華為技術(shù)有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)華為技術(shù)有限公司授權(quán)不得商用。