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本申請?zhí)岢隽艘环N導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，包括：第一介電層；種子層，設(shè)置在所述第一介電層上；導(dǎo)電跡線，設(shè)置在所述種子層背離所述第一介電層的上表面上；第二介電層，包覆所述導(dǎo)電跡線，并接觸所述種子層的上表面。現(xiàn)有技術(shù)在對種子層進行濕蝕刻的制程中，蝕刻液也會同時...該專利屬于日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司授權(quán)不得商用。