溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明涉及晶體加工領域，尤其涉及一種新式SiC抗翹曲薄膜沉積工藝方法，在工藝開始階段，會先對晶圓進行吸附，并檢查真空度確保晶圓吸附平整無漏吸；在工藝過程中，加熱臺全程進行吸附，保證薄膜生長均勻性；在工藝結束后，增加應力釋放環節，通過提高加熱...該專利屬于西北電子裝備技術研究所（中國電子科技集團公司第二研究所）所有，僅供學習研究參考，未經過西北電子裝備技術研究所（中國電子科技集團公司第二研究所）授權不得商用。