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本發(fā)明涉及碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域，具體提供了一種碳化硅金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal?Oxide?Semiconductor?Field?Effect?Transistor,MOSFET)驅(qū)動(dòng)電壓控制方法及裝置，包括：驅(qū)動(dòng)電路向碳化硅...該專利屬于中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司授權(quán)不得商用。