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本發(fā)明公開了一種碳?金屬?gòu)?fù)合薄膜及其制備方法、應(yīng)用,屬于碳納米材料技術(shù)領(lǐng)域,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中碳?金屬?gòu)?fù)合薄膜制備成本較高、效率不高和電磁屏蔽性能有待進(jìn)一步提升的問題,其中碳?金屬?gòu)?fù)合薄膜的制備方法包括采用化學(xué)氣相沉積方法制備出了金屬薄膜I...該專利屬于江蘇費(fèi)曼半導(dǎo)體科技有限公司所有,僅供學(xué)習(xí)研究參考,未經(jīng)過江蘇費(fèi)曼半導(dǎo)體科技有限公司授權(quán)不得商用。