溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本申請公開了半導體器件、半導體器件的制備方法及電子裝置，該半導體器件包括：半導體襯底，具有相對的第一表面和第二表面；形成于半導體襯底中的多個光電二極管；與多個光電二極管相對應的多個淬滅電阻結構以及形成于相鄰光電二極管之間的溝槽隔離結構。該溝...該專利屬于中芯國際集成電路制造（北京）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（北京）有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本申請公開了半導體器件、半導體器件的制備方法及電子裝置，該半導體器件包括：半導體襯底，具有相對的第一表面和第二表面；形成于半導體襯底中的多個光電二極管；與多個光電二極管相對應的多個淬滅電阻結構以及形成于相鄰光電二極管之間的溝槽隔離結構。該溝...