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本發(fā)明公開了一種氮化鎵基諧振腔發(fā)光二極管的制備方法及其制品。其中，所述方法依序包括如下步驟：在原始襯底上外延生長(zhǎng)氮化鎵基外延層，在氮化鎵基外延層一表面制備若干曲面結(jié)構(gòu)；在該曲面結(jié)構(gòu)沿一第一方向依序沉積電流擴(kuò)展層、曲面反射鏡、過渡層，并在每個(gè)...該專利屬于廈門大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過廈門大學(xué)授權(quán)不得商用。