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本發明屬于功率半導體技術領域，尤其是涉及一種多偏置信號控制多列島的GaN功率器件。本發明在PGaN柵增強型GaN?HEMT器件結構的基礎上在AlGaN勢壘層表面增加多列島，并且由偏置電路控制多列島。器件正常的導通與關斷與PGaN柵增強型Ga...
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