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本發明涉及一種絕緣體上硅結構的制備方法，包括如下步驟：(1)提供兩片襯底，分別為第一襯底和第二襯底；(2)對第一襯底進行電化學腐蝕，改變工藝參數，形成由第一多孔硅層和第二多孔硅層組成的雙層多孔硅結構；(3)對第一襯底進行高溫熱處理；(4)在...該專利屬于中國科學院上海微系統與信息技術研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院上海微系統與信息技術研究所授權不得商用。
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本發明涉及一種絕緣體上硅結構的制備方法，包括如下步驟：(1)提供兩片襯底，分別為第一襯底和第二襯底；(2)對第一襯底進行電化學腐蝕，改變工藝參數，形成由第一多孔硅層和第二多孔硅層組成的雙層多孔硅結構；(3)對第一襯底進行高溫熱處理；(4)在...