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本發(fā)明公開(kāi)了一種深紫外LED芯片的制備方法及深紫外LED芯片，包括：在襯底上生長(zhǎng)AlN緩沖層和第一AlGaN層；在第一AlGaN層上沉積金屬薄膜，得到深紫外LED生長(zhǎng)模板；對(duì)深紫外LED生長(zhǎng)模板進(jìn)行高溫快速退火，將金屬薄膜轉(zhuǎn)化為若干個(gè)金屬小...該專(zhuān)利屬于佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司授權(quán)不得商用。