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本發明公開了一種集成電容的VDMOS器件及其制備方法，涉及微電子技術領域，包括：依次層疊設置的漏極、襯底和漂移區；第一柵氧化層，位于漂移區的上表面，沿垂直于襯底的方向，第一柵氧化層的正投影位于襯底的正投影的范圍內；柵極，位于第一柵氧化層的上...
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