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本發明公開一種半導體裝置及其制作方法，半導體裝置包括基底、金屬柵極結構、至少一虛設體、兩源極/漏極區以及介電層。金屬柵極結構設置在基底上。至少一虛設體設置在金屬柵極結構內。兩源極/漏極區設置在金屬柵極結構兩側的基底內。介電層設置在基底上，環...該專利屬于聯芯集成電路制造（廈門）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過聯芯集成電路制造（廈門）有限公司授權不得商用。
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本發明公開一種半導體裝置及其制作方法，半導體裝置包括基底、金屬柵極結構、至少一虛設體、兩源極/漏極區以及介電層。金屬柵極結構設置在基底上。至少一虛設體設置在金屬柵極結構內。兩源極/漏極區設置在金屬柵極結構兩側的基底內。介電層設置在基底上，環...