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本申請提供一種半導體結構的制造方法及半導體結構。所述制造方法包括：形成支撐層，并形成貫穿所述支撐層的多個通孔；在各所述通孔內形成導電結構，所述導電結構的相對兩個表面分別露出所述通孔；在所述支撐層的一側設置電氣元件，所述電氣元件的電極與所述導...該專利屬于矽磐微電子（重慶）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過矽磐微電子（重慶）有限公司授權不得商用。
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