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本發(fā)明公開了一種具有低快軸發(fā)散角下波導(dǎo)層的氮化鎵基半導(dǎo)體紫光激光器，從下至上依次包括襯底、下包覆層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層、上包覆層，所述下波導(dǎo)層為低快軸發(fā)散角下波導(dǎo)層；所述低快軸發(fā)散角下波導(dǎo)層為InGaN、GaN、InN、AlInGa...該專利屬于安徽格恩半導(dǎo)體有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)安徽格恩半導(dǎo)體有限公司授權(quán)不得商用。