溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本申請公開了半導體器件及半導體器件的制程方法，涉及半導體技術領域，該半導體器件包括：襯底；至少一個第一金屬柵結構，第一金屬柵結構設置在襯底上，第一金屬柵結構為類PMOS金屬柵結構或類NMOS金屬柵結構；金屬結構，金屬結構設置在襯底上；第一金...該專利屬于武漢新芯集成電路股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過武漢新芯集成電路股份有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本申請公開了半導體器件及半導體器件的制程方法，涉及半導體技術領域，該半導體器件包括：襯底；至少一個第一金屬柵結構，第一金屬柵結構設置在襯底上，第一金屬柵結構為類PMOS金屬柵結構或類NMOS金屬柵結構；金屬結構，金屬結構設置在襯底上；第一金...