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一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底，襯底上形成有掩膜層，掩膜層中形成有露出襯底表面的掩膜開口；沿掩膜開口圖形化襯底表面，形成延伸至掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口；沿凹口圖形化襯底，形成位于襯底中的凹槽。本發明有利于提高半導體結構的可靠...該專利屬于中芯集成電路（寧波）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯集成電路（寧波）有限公司授權不得商用。
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一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底，襯底上形成有掩膜層，掩膜層中形成有露出襯底表面的掩膜開口；沿掩膜開口圖形化襯底表面，形成延伸至掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口；沿凹口圖形化襯底，形成位于襯底中的凹槽。本發明有利于提高半導體結構的可靠...