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本發明公開了一種發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管，涉及半導體技術領域。發光二極管外延片包括襯底、緩沖層、N型半導體層、低溫應力釋放層、多量子阱發光層、電子阻擋層和P型半導體層；多量子阱發光層包括依次層疊的第一子層、第二子層、第三子層...
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